特許
J-GLOBAL ID：200903093663632454
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066911
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275443
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【構成】エミッタ層104,サブエミッタ層105,エミッタ電極106及び絶縁膜107よりなるエミッタメサに形成した側壁絶縁膜108を用いてベース層103の側面をエッチングにより露出させる。ベース層103の側面に対して選択的な金属被着を行い、自己整合的にベース電極109を形成する。次いで、絶縁膜107,側壁絶縁膜108及びベース電極109をマスクにしたエッチングによりベース・コレクタメサを自己整合的に形成する。【効果】HBTの真性部であるエミッタ・ベース接合に対して自己整合的にベース電極及びベース・コレクタメサを形成できるため外部ベース抵抗及び外部ベース・コレクタ容量が小さく高周波特性の優れたHBTをリソグラフィ工程数の少ない簡便なプロセスを実現することができる。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板上に形成された第1導電型の第1の化合物半導体よりなるサブコレクタ層,前記第1導電型の第1の化合物半導体よりなるコレクタ層,第2導電型の第2の半導体よりなるベース層,前記ベース層と良好なヘテロ接合を形成する第1導電型の第3の化合物半導体よりなるエミッタ層及び前記第1導電型の第1の化合物半導体よりなるサブエミッタ層を形成する工程,前記サブエミッタ層上の第1の絶縁膜よりなるエミッタメサ形成用マスクを用いて前記エミッタ層の内部或いはベース面まで到るメサエッチングを行う工程,第2の絶縁膜の被着及びRIEによるエッチバックにより前記第1の絶縁膜よりなる前記エミッタメサ形成用マスク及び前記サブエミッタ層と前記エミッタ層よりなるメサ部に対して自己整合的に第2の絶縁膜よりなる側壁を形成する工程,前記第1の絶縁膜よりなるエミッタメサ形成用マスク及び前記第2の絶縁膜よりなる側壁をマスクにしてエッチングを行い前記ベース層の側面を露出させる工程,露出したベース層側面に対して選択的な金属被着を行う工程,前記第1の絶縁膜よりなる前記エミッタメサ形成用マスク、前記第2の絶縁膜よりなる側壁及び前記ベース層の側面に選択的に被着した金属膜をマスクにして前記サブコレクタ層が露出するまでエッチングを行いベース,コレクタ接合部を限定する工程を含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
