特許

J-GLOBAL ID：200903093668758316

ショットキ半導体装置

発明者： 三井 昌仁 ,  桜井 義彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260531
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115211
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 ショットキ半導体装置の順方向電圧降下を低減する。また、ショットキ半導体装置の電源の長寿命化をはかる。また、SB半導体装置の順方向特性を向上する。【構成】 半導体基板の一主面にEpi層が形成され、該主面に被着される保護膜の開口部でショットキバリア金属層が半導体基板に被着されてなるショットキ半導体装置において、前記Epi層の不純物分布に濃度勾配を持たせ、該不純物分布の濃度勾配は、主面側で濃度が小さく(抵抗大)、基板側で濃度が大きく(抵抗小)なっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面にエピタキシャル層が形成され、該主面に被着される保護膜の開口部でショットキバリア金属層が半導体基板に被着されてなるショットキ半導体装置において、前記エピタキシャル層の不純物分布に濃度勾配を持たせ、該不純物分布の濃度勾配は、主面側で濃度が小さく、基板側で濃度が大きくなっていることを特徴とするショットキ半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 G