特許
J-GLOBAL ID:200903093673463537

半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-157140
公開番号(公開出願番号):特開2002-353551
出願日: 2001年05月25日
公開日(公表日): 2002年12月06日
要約:
【要約】【課題】 半導体レーザ素子を十分良好に冷却できるようにする。【解決手段】 ヒートスプレッダー2a、2bとペルチェ素子3a、3bとヒートシンク14等からなる冷却手段を用いて、半導体レーザ素子1をそのp側およびn側の双方から冷却する。
請求項(抜粋):
半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子のp側およびn側にそれぞれ配置されて該素子を冷却する冷却手段とを備えてなる半導体レーザ装置。
IPC (2件):
H01S 5/024 ,  H01S 5/22 610
FI (2件):
H01S 5/024 ,  H01S 5/22 610
Fターム (5件):
5F073AB04 ,  5F073FA16 ,  5F073FA25 ,  5F073FA26 ,  5F073GA23

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