SiGe層を具えた半導体電界効果デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-522616
公開番号（公開出願番号）：特表平11-500873
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：

【要約】ディープサブミクロン領域のチャネル寸法を有するMOSトランジスタにおいて高い移動を及び適当なしきい値電圧を得るためには、高ドープ層(又は接地面)をチャネル領域内に、低ドープ真性表面領域の下側に、表面から数十ナノメートルの位置に埋め込むのが望ましい。しかし、特にnチャネルトランジスタにおいては、例えばゲート酸化膜の形成中における高ドープ層から表面への硼素原子の拡散のために移動度の低下が起こり得る。この低下を阻止するために、硼素拡散を禁止するSi1-xGex(例えばx=0.3)の薄い層(11)を高ドープ層(10)と真性表面領域(7)との間に設ける。このSiGe層及び真性表面領域はエピタキシャル成長により設けることができ、このためにSiGe層の厚さは、十分な拡散禁止を保持しながらこれらのエピタキシャル層の格子定数が表面に平行な方向において基板(1)の格子定数と少なくともほぼ等しくなるよう小さくする。SiGe層はn型ドーパントに拡散減速効果ではなく拡散加速効果を与えるので、CMOSデバイス内のpチャネルトランジスタの接地面には、純粋シリコン中における拡散定数が低いAs又はSbをドープする。

請求項（抜粋）：

表面に隣接するp型表面領域を有するシリコンの半導体本体に、絶縁ゲートと、前記表面領域内に設けられ且つ表面に隣接するチャネル領域で互いに分離されたn型ソース及びドレイン領域とを有するnチャネル電界効果トランジスタが設けられ、且つ前記表面領域内に、表面から小距離の位置でチャネル領域の下側を延在し、前記表面領域より高いドーピング濃度を有する埋込みp型ドープ領域が設けられた半導体デバイスにおいて、前記表面領域内に、チャネル領域の下側を延在し、表面に隣接する比較的低ドープのチャネル領域と比較的高ドープの埋込みp型領域との間の拡散障壁を形成する埋込みSi1-xGex層(以後SiGe層という)を更に設けたことを特徴とする半導体デバイス。

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