特許

J-GLOBAL ID：200903093688757855

光・電子デバイス

発明者： 田中 雅明 ,  ゲルハルト ファーゾル
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051925
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259403
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【構成】 半導体層4を介して磁性体層2、3を積層配設してなる構造を有する光・電子デバイス。【効果】 全く新しい光・電子デバイスとして不揮発性メモリ、光(マイクロ波)スイッチまたは変調器等の各種領域への応用が拡がる。高性能、高密度デバイスとして有用である。

請求項（抜粋）：

半導体層を介して磁性体層を積層配設してなる構造を有することを特徴とする光・電子デバイス。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/15 ,  H01L 49/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-177459
  
• 特開平3-200084
  
• 特開昭63-306599