特許

J-GLOBAL ID：200903093694585187

半導体ウェーハ及び気相成長装置

発明者： 大瀬 広樹
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-326034
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138168
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 ドーパント濃度が比較的低い直径300mm以上の大口径の半導体単結晶基板の主面上に、抵抗率の均一でスリップ転位が実質的に発生していない半導体薄膜を有する半導体ウェーハを提供すると共に、このような半導体ウェーハを作製することができる気相成長装置を提供することを目的とする。【解決手段】 反応容器10の幅方向に配設された6つ全ての導入口18a、18b、...、18fのからは、主ドーパントガス配管として機能する共通のガス配管22aを介して供給されたドーパントガスが反応容器10内に供給されるようになっている。また、特定のガス導入口としての内側導入口18a、18b及び中間導入口18c、18dからは、第1及び第2の副ドーパントガス配管22b、22cを介してそれぞれ供給されたドーパントガスが反応容器10内に追加供給されるようになっている。

請求項（抜粋）：

直径が300mm以上400mm以下で、ドーパント濃度が4×1013atoms/cm3 以上3×1018atoms/cm3 以下の半導体単結晶基板の主面上に、直径方向の抵抗率分布が±3%以下の半導体薄膜が形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。

Fターム (23件)：

5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB13 ,  5F045DA66 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB13 ,  5F045EC07 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EE15 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08 ,  5F045EJ04 ,  5F045EK11 ,  5F045GB12