特許
J-GLOBAL ID：200903093699479989
太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212673
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044456
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体層中の炭素を高い活性化率で活性化し、トンネルピーク電流密度の高いトンネル接合を形成し、エネルギ変換効率の高い多接合型太陽電池を製造する。【解決手段】 MOCVD法を用いて、多接合型太陽電池に必要な半導体多層構造を堆積する。先ずGaAs太陽電池層(ボトムセル)12を形成し、次にp型AlGaAs層132に炭素を添加したトンネル接合層13を形成し、その上にInGaP太陽電池層(トップセル)15を形成する。そして、金属電極17及び18の形成前にトンネル接合層13に含まれている炭素に結合している水素を取り除く脱水素工程を行う。この脱水素工程は、窒素ガス雰囲気中、350°C〜450°C、数十分以上の熱処理、又は窒素ガス雰囲気中、450°C〜700°C、数秒〜数分の熱処理で実現することができる。
請求項（抜粋）：
第1の太陽電池層を形成する工程と、前記第1の太陽電池層上に、炭素を添加したIII-V族化合物半導体層を有するトンネル接合層を、有機金属化合物ガスを含む原料ガス及び炭素化合物ガスを含むドーパントガスの少なくとも一方を用いて成長する工程と、第2の太陽電池層を前記トンネル接合層上に形成する工程と、前記炭素に結合されている水素を熱処理により取り除く工程と、前記第1及び第2の太陽電池層のそれぞれに電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法。
Fターム (10件)：
5F051AA08
, 5F051BA02
, 5F051CB08
, 5F051CB12
, 5F051CB24
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051DA07
, 5F051DA18
, 5F051DA19
