特許

J-GLOBAL ID：200903093700428498

電力用MOS電界効果トランジスター

発明者： コンラッド ワーゲンゾーナー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ ドイチェランド ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-094314
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307463
出願日： 1994年05月06日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 電力用のMOS電界効果トランジスターを提供する。【構成】 本発明の電力用MOS電界効果トランジスターは、半導体基板(18)中に同一の形に形成された複数個のセルを有し、各々のセルがソース領域(S)、ドレイン領域(D)、および多結晶シリコンのゲート(G)を含んでいる。ソース領域(S)、ドレイン領域(D)、およびゲート(G)をつなぐことによってすべてのセルが並列に接続される。セル群のゲート(G)が金属の導電性層(14、16)によって相互接続される。

請求項（抜粋）：

電力用MOS電界効果トランジスターであって、半導体基板中に同一の形に形成された複数個のセルを有し、各々のセルがソース領域、ドレイン領域、および多結晶シリコンのゲートを含み、ソース領域、ドレイン領域、およびゲートをつなぐことによってすべてのセルが並列に接続されており、セルのゲート(G)が金属の導電性層(14、16)によって相互接続されることを特徴とするトランジスター。