特許
J-GLOBAL ID：200903093701294398
多結晶シリコン薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中尾 俊輔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347535
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204137
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 既存の固相結晶化法の長所である大面積の均一性を維持しながら、結晶化工程の温度上限を低減させて、ガラス基板の収縮および曲がり現象を防止し、工程時間を短縮するとともに高移動度を有する高品質の多結晶シリコン薄膜の製造方法を提供すること。【構成】 ガラス基板1上に微結晶性シリコン層4を形成し、その上にa-Si:H層2を形成し、熱処理して多結晶シリコン層3を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ガラス基板(1)上に微結晶性シリコン層(4)を形成し、その上にa-Si:H層(2)を形成し、熱処理して多結晶シリコン層(3)を形成することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 14/14
, C30B 25/18
, H01L 21/324
