特許

J-GLOBAL ID：200903093704286124

高効率光起電力素子

発明者： 渡辺 隆行 ,  松井 正宏
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264853
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122763
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【構成】 光吸収半導体層が、価電子帯から伝導帯への電子の励起を中継するエネルギー準位を禁制帯中に有する光起電力素子。【効果】 タンデム構造の光起電力素子のような複雑な積層構造や製造プロセスをとらずに、太陽光を広い波長範囲で利用できる高効率の光起電力素子を提供する。

請求項（抜粋）：

光吸収半導体層および正負の電極を有する光起電力素子において、上記光吸収半導体層が、価電子帯から伝導帯への電子の励起を中継するエネルギー準位を禁制帯中に有することを特徴とする光起電力素子。