特許
J-GLOBAL ID：200903093707632554

磁気メモリ装置の読み出し回路

発明者：
白井 英二

白井 英二 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301551
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109375
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗素子をメモリ素子として用いる磁気メモリ装置に適し、回路規模を小さくでき、かつ動作電圧を低くできる読み出し回路を提供する。【解決手段】 磁気抵抗素子を有するメモリセルに記録された情報を読み出す磁気メモリ装置の読み出し回路であって、前記磁気抵抗素子に対して直列に接続される参照セルと、前記磁気抵抗素子と前記参照セルとの接続点の電位と基準電位とを比較する比較器と、を有する磁気メモリ装置の読み出し回路。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗素子を有するメモリセルに記録された情報を読み出す磁気メモリ装置の読み出し回路であって、前記磁気抵抗素子に対して直列に接続される参照セルと、前記磁気抵抗素子と前記参照セルとの接続点の電位と基準電位とを比較する比較器と、を有する磁気メモリ装置の読み出し回路。
IPC (4件)：
G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 E ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (8件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA21 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083MA19
引用特許：
審査官引用 (2件)

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