特許

J-GLOBAL ID：200903093722009936

光検出装置の製造方法

発明者： 望月 千織
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-302453
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110956
出願日： 2000年10月02日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 従来のPIN型光センサでは、高S/N比、低コストの光検出装置を実現するのは難しい。【解決手段】 基板21上に光電変換素子とスイッチTFTの電極層22,23を形成する工程、絶縁層24及び半導体層25及びn+ 型半導体層26を順次積層する工程、光電変換素子部とスイッチTFT部と配線クロス部を島状に形成する工程、スイッチTFTのソース・ドレイン電極以外の電極層を形成する工程、同一マスクを用いて少なくともスイッチTFTのソース・ドレイン電極となる電極層を形成し、且つ、n+ 型半導体層を除去する工程を具備する。

請求項（抜粋）：

少なくとも、光電変換素子とスイッチTFTとを有する光検出装置の製造方法において、基板上に光電変換素子とスイッチTFTの電極層を形成する工程、絶縁層及び半導体層及びn+ 型半導体層を順次積層する工程、光電変換素子部とスイッチTFT部と配線クロス部を島状に形成する工程、前記スイッチTFTのソース・ドレイン電極以外の電極層を形成する工程、同一マスクを用いて少なくとも前記スイッチTFTのソース・ドレイン電極となる電極層を形成し、且つ、前記n+ 型半導体層を除去する工程を含むことを特徴とした光検出装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10 ,  H04N 1/028

FI (4件)：

H04N 1/028 Z ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 31/10 A

Fターム (53件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CA18 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118DD11 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB19 ,  4M118FB24 ,  4M118FB30 ,  4M118GA10 ,  5C051AA01 ,  5C051BA03 ,  5C051DA06 ,  5C051DB08 ,  5C051DC02 ,  5C051DC07 ,  5F049MA04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049QA02 ,  5F049QA11 ,  5F049RA06 ,  5F049SE09 ,  5F049SE11 ,  5F049WA07 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK33 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ30