化合物半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294858
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153871
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】VTHの値の正側へのシフトの抑制が容易な高電子移動度トランジスタの製造方法を提供する。【構成】リセス105形成の選択エッチングを例えばBCl3 とSF6 との混合ガスで行なうと、n型AlGaAs層103表面は1nm程度のAlF3 膜105により覆われる。フォトレジスト膜131aの剥離を例えばNF3 によるプラズマエッチングで行なうと、AlF3 膜105は除去されない。AlF3 膜105の除去は、HCl水溶液で行なう。

請求項（抜粋）：

半絶縁性3-5族化合物基板表面に少なくともGaおよびAsを含んだノンドープの3-5族化合物半導体層からなるバッファー層を形成し、該バッファー層表面に少なくともAlおよびAsを含んだn型の3-5族化合物半導体層からなる電子供給層を形成し、該電子供給層表面に少なくともGaおよびAsを含んだn型の3-5族化合物半導体層からなるコンタクト層を形成する工程と、フォトレジスト膜をマスクにして、ハロゲン元素として塩素のみを含んだ塩化物ガスとハロゲン元素として弗素のみを含んだ第1の弗化物ガスとからなるエッチングガスにより、前記コンタクト層を選択的にエッチングしてリセスを形成し、前記電子供給層表面に少なくともAlF3 を含んだ堆積膜を残置させる工程と、プラズマ放電を発生する反応容器にハロゲン元素として弗素のみを含んだ第2の弗化物ガスを導入して、前記フォトレジスト膜を剥離する工程と、HClの水溶液により、前記堆積膜を除去するとともに前記電子供給層表面を洗浄する工程とを少なくとも有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 21/302 F

前のページに戻る