特許
J-GLOBAL ID:200903093730222347

スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-055154
公開番号(公開出願番号):特開平5-051732
出願日: 1991年03月19日
公開日(公表日): 1993年03月02日
要約:
【要約】【目的】 均一な合金相からなるTiーW系のスパッタリング用ターゲット及びその製造方法の提供を目的とする。【構成】 スパッタリング用ターゲットはTiを5〜30重量%含むタングステン合金からなる。また、このスパッタリング用ターゲットの製造方法では、上記の組成の混合物を電子衝撃法もしくはプラズマ衝撃法により加熱溶融し、得られた溶融物を鋳造してタングステン合金とする。また、熱間静水圧プレス(HIP)を用いて前記タングステン合金を熱処理してもよい。【効果】 ターゲットの微視的な均一性を向上させ高純度とすることができ、スパッタリングする際のパーティクルの発生を減少させ、半導体の歩留まりを大幅に向上させることができる。また、HIPを用いて熱処理するとTi-W合金相の微小な鋳造欠陥(ポア)が消失し均一性が更に高まる。
請求項(抜粋):
Tiを5〜30重量%含むタングステン合金からなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
IPC (2件):
C23C 14/34 ,  C22C 27/04 101

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