特許

J-GLOBAL ID：200903093733763977

半導体導波路型受光素子

発明者： 横内 則之 ,  山口 武治 ,  吉田 順自
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-262335
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103088
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 光検出部と光減衰部が集積されていて、製作プロセスは簡略化され、実働時の無効電流が1nA以下になる半導体導波路型受光素子を提供する。【解決手段】 第1下部クラッド層2,第1光吸収層1および第1上部クラッド層3から成る光検出部Aと、第2下部クラッド層8,第1光吸収層1と光学的に結合している第2光吸収層7および第2上部クラッド層9から成り、かつ光検出部Aと光入射面Cの間に配置された光減衰部Bとを備えており、第1下部クラッド層2がn型またはp型の半導体から成り、かつ第1上部クラッド層3が第1下部クラッド層2と逆導電型の半導体から成り、また、第2下部クラッド層8が第1上部クラッド層3と同じ導電型の半導体から成り、かつ第2上部クラッド層9が第1下部クラッド層2と同じ導電型の半導体から成り、第1下部クラッド層2と第2上部クラッド層9が互いに電気的に結合されている。

請求項（抜粋）：

第1下部クラッド層,第1光吸収層および第1上部クラッド層から成る積層構造を有する光検出部と、第2下部クラッド層,前記第1光吸収層と光学的に結合している第2光吸収層および第2上部クラッド層から成る積層構造の光減衰部を備え、かつ前記光減衰部が前記光検出部と光入射面の間に配置されている半導体導波路型受光素子において、前記第1下部クラッド層がn型またはp型の半導体から成り、かつ前記第1上部クラッド層が前記第1下部クラッド層と逆導電型の半導体から成り、また、前記第2下部クラッド層が前記第1上部クラッド層と同じ導電型の半導体から成り、かつ前記第2上部クラッド層が前記第1下部クラッド層と同じ導電型の半導体から成り、前記第1下部クラッド層と前記第2上部クラッド層、または前記第1上部クラッド層と前記第2下部クラッド層が互いに電気的に結合されていることを特徴とする半導体導波路型受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/0232

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 D