特許
J-GLOBAL ID:200903093734400258

プラズマ利用の加工装置用電極およびその電極の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 木下 實三 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-051432
公開番号(公開出願番号):特開平9-245994
出願日: 1996年03月08日
公開日(公表日): 1997年09月19日
要約:
【要約】【課題】 長寿命かつ安価であり、パーティクル発生や金属汚染の少ないプラズマ利用の加工装置用電極およびその電極の製造法を提供する。【解決手段】 平行平板型プラズマエッチング装置1の反応室2上部に配置された上部電極3を、電気抵抗を下げる元素を含んだシリコンを主成分として形成する。上部電極3の抵抗率を0.1Ω・cm〜元素が固溶限界量含まれた値とする。そして、上部電極3に、放電加工機によって、0.5mmの直径で多数のガス供給用の小穴3Aを明け、さらに、加工により生じる変質層を化学的エッチングで除去する。
請求項(抜粋):
プラズマを利用した加工装置用の電極であって、シリコンを主成分として形成され、電気抵抗を下げる元素を含んでおり、ガス供給用の多数の小穴が明けられている電極において、電極の抵抗率が0.1Ω・cm〜前記元素が固溶限界量含まれた値とされ、放電加工により前記多数の小穴が明けられていることを特徴とするプラズマ利用の加工装置用電極。
IPC (4件):
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (4件):
H05H 1/46 M ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

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