特許

J-GLOBAL ID：200903093738120560

半導体装置の金属配線形成方法

発明者： チョ ギョン スゥ
出願人/特許権者： ヒヨンデ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニーリミテッド
代理人 (1件)： 佐藤 英昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070955
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250596
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【課題】 拡散防止膜のステップカバレージを向上し、パーティクルを減少して、歩留りと信頼性を上げる。【解決手段】 絶縁膜が形成された半導体基板上部の所定の部位にコンタクトホールを形成した後、コンタクトホールを含んだ絶縁膜全面にチタニウムとチタニウム窒化膜とを化学気相蒸着法により所定厚さで形成する。その後、形成されたチタニウム窒化膜を窒素雰囲気中で所定温度、所定時間で熱処理して窒素含有量と相の異なる三層のチタニウム窒化膜に相転移する。その後、コンタクトホール部分を電気的に連結させる金属配線を形成する。

請求項（抜粋）：

活性領域を含む半導体基板上に絶縁膜を形成する工程;上記絶縁膜が形成された半導体基板上部の所定の部位にコンタクトホールを形成する工程;上記コンタクトホールを含む絶縁膜にチタニウム膜とチタニウム窒化膜を所定厚さで順次形成する工程;上記チタニウム窒化膜を窒素雰囲気中で熱処理して窒素含有量と相が互いに異なる三層構造のチタニウム窒化膜に相転移させる工程;上記コンタクトホール部分を電気的に連結させる金属配線を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の金属配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-154054   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭61-069969
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-308326   出願人：ソニー株式会社