半導体ガスセンサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070907
公開番号（公開出願番号）：特開平11-271255
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：

【要約】【課題】雰囲気中の温度・湿度依存性が小さく且つ高濃度ガス経験や無通電放置による特性変化が小さく、通電経時安定性に優れた半導体ガスセンサを提供する。【解決手段】アルミナ基板1の裏面の金電極2A,2B間には酸化ルテニウムからなるヒータ3を形成し、アルミナ基板1の表面の金電極4A,4B間に形成した酸化錫を主成分とする感応部6にパラジウムと酸化セリウムを含有させた。

請求項（抜粋）：

金属酸化物半導体よりなる感応部に電気抵抗測定用の一対の電極を設けた半導体ガスセンサであって、感応部は、酸化錫を主成分とし、副成分として少なくとも酸化セリウムを含有することを特徴とする半導体ガスセンサ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

厚膜ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227662 出願人：富士電機株式会社
特開昭59-142445
特開昭59-142445

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