ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-017617
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326460
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 SiO2 系材料層のドライエッチングにおいて、高速化,高選択化,低ダメージ化を推進し、炭素系ポリマーによる汚染を徹底的に低減する。【構成】レジスト・マスク4を介してSiO2 層間絶縁膜3をエッチングしてコンタクト・ホール5を形成する際に、COF2 ,SOF2 ,NOF等の無機ハロゲン化合物をエッチング・ガスに添加することで、炭素系ポリマーの膜質を強化し、高選択性の確保に必要なその堆積量を低減する。この膜質強化は、炭素系ポリマーの重合度の上昇、結合エネルギーの大きい結合の導入、極性基の導入による静電吸着力の増大等にもとづく。ガス系にCHF3 ,c-C4 F8 等を添加すれば、気相中からの炭素系ポリマー供給やエッチングの高速化が期待でき、S2 F2 等を併用すれば、S(イオウ)が堆積する分、炭素系ポリマーを一層低減できる。

請求項（抜粋）：

分子内にカルボニル基,チオニル基,スルフリル基,ニトロシル基,ニトリル基から選ばれる少なくとも1種類の官能基とハロゲン原子とを有する無機ハロゲン化合物を含むエッチング・ガスを用いてシリコン化合物層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , H01L 21/28

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平3-273624
特開昭61-256638
特開昭55-054572

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審査官引用 (4件)

特開平3-273624
特開昭61-256638
特開昭55-054572

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