特許

J-GLOBAL ID：200903093747285563

酸化物単結晶薄膜の合成方法

発明者： 大久保 総一郎 ,  今井 貴浩 ,  岡本 暁
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-134500
公開番号（公開出願番号）：特開平9-315896
出願日： 1996年05月29日
公開日（公表日）： 1997年12月09日
要約：

【要約】【課題】 ゾル-ゲル法を用いた光反応によって、単結晶基板表面に酸化物単結晶の薄膜をエピタキシャル成長させる方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板1の表面1aを原料前駆体溶液3に接触させ、励起光を該基板1の裏面1b側から照射して表面1aから原料前駆体溶液3に入射させることにより、原料前駆体を分解して単結晶基板1の表面1aに酸化物単結晶をエピタキシャル成長させる。励起光の単結晶基板1の表面1aでの入射角θが全反射臨界角となるように、裏面1b側への励起光の照射角度を調整することが好ましい。

請求項（抜粋）：

単結晶基板の表面を原料前駆体溶液に接触させ、励起光を該単結晶基板の裏面側から照射して表面から原料前駆体溶液に入射させることにより、原料前駆体を分解して単結晶基板の表面から酸化物単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする酸化物単結晶薄膜の合成方法。

IPC (3件)：

C30B 29/16 ,  C30B 5/00 ,  C30B 19/00

FI (3件)：

C30B 29/16 ,  C30B 5/00 ,  C30B 19/00 Z