特許

J-GLOBAL ID：200903093749413542

電界効果型トランジスタ

発明者： 西村 剛太
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017090
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214408
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 大電流化に対応した電界効果型トランジスタを得ようとすると、高周波特性が劣化したり、素子が大型化するという問題があった。【解決手段】 ゲート電極配線を格子状に形成し、このゲート電極配線の格子の中にソース・ドレイン電極を島状に分離して形成し、この島状のソース・ドレイン電極のそれぞれを前記ゲート電極配線を越えて相互に接続した。

請求項（抜粋）：

ゲート電極配線を格子状に形成し、このゲート電極の配線格子の中にソース・ドレイン電極を島状に分離して形成し、この島状のソース・ドレイン電極のそれぞれを前記ゲート電極配線を越えて相互に接続した電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 29/80 L ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-211771
  
• 特開昭60-053085
  
• 特開平3-027534
  
• 特開昭54-089582