特許

J-GLOBAL ID：200903093756360284

導電性シリコーンゴム組成物の製造方法

発明者： 井上 凱夫 ,  関口 晋 ,  高橋 政晴
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343436
公開番号（公開出願番号）：特開平6-166819
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 平均組成式(1)及び(2)で示されるオルガノポリシロキサンと導電性カーボンブラックとを含むシリコーンゴム組成物(A)に(3)で示されるオルガノポリシロキサンを含むシリコーンゴム組成物(B)を混合する。平均組成式R1aR2bSiO{4-(a+b)}/2(1)R3cR4dSiO{4-(a+b)}/2(2)R5eSiO(4-e)/2(3)(ここで、R1,R2,R3,R5は非置換又は置換の1価炭化水素基を示し、R2は第1級アミンを含有する1価の有機基で、R4はα,β-不飽和カルボニル誘導体又はエポキシ基を含有する1価の有機基を示し、R1のうちメチル基は95モル%以下であり、R5のうちメチル基は98モル%以上である。)【効果】 成形加工、加硫特性が良好で、半導電領域での電気抵抗率が成形条件によって左右されない。

請求項（抜粋）：

下記平均組成式(1)で示されるオルガノポリシロキサンと下記平均組成式(2)で示されるオルガノポリシロキサンと導電性カーボンブラックとを含むシリコーンゴム組成物(A)に対し、下記平均組成式(3)で示されるオルガノポリシロキサンを含むシリコーンゴム組成物(B)を混合することを特徴とする導電性シリコーンゴム組成物の製造方法。平均組成式(1)R1aR2bSiO{4-(a+b)}/2(ここで、R1,R2は非置換又は置換の1価炭化水素基を示すが、R1のうちメチル基は95モル%以下であり、R2は第1級アミンを含有する1価の有機基である。a,bはそれぞれa+b=1.98〜2.02を満足する正数である。)平均組成式(2)R3cR4dSiO{4-(a+b)}/2(ここで、R3は非置換又は置換の1価炭化水素基、R4はα,β-不飽和カルボニル誘導体又はエポキシ基を含有する1価の有機基を示し、c,dはそれぞれc+d=1.98〜2.02を満足する正数である。)平均組成式(3)R5eSiO(4-e)/2(ここで、R5は非置換又は置換の1価炭化水素基を示すが、R5のうちメチル基は98モル%以上であり、eは1.98〜2.02の正数である。)

IPC (5件)：

C08L 83/04 LRZ ,  C08K 3/04 LRX ,  C08L 83/06 ,  C08L 83/08 ,  H01B 1/24