特許

J-GLOBAL ID：200903093763763416

半導体装置及びその製造方法

発明者： 深澤 雄二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-077697
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125013
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 電気特性に優れ、高集積化に対応できる半導体装置の構造及び製造工程の簡単な多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板10上に下層の配線2と少なくとも1層の層間絶縁膜3を介して上層の配線4を形成する。上層の配線4を被覆するように上層の絶縁膜5を形成する。そして、上層及び下層の配線の間にダミー配線20を挿入する。このダミー配線を含めて上層及び下層の配線に絶縁膜5の上からコンタクト孔9を形成し、ここに接続配線7を充填する。この接続配線が上層の配線と下層の配線を確実に電気的接続する。

請求項（抜粋）：

多層配線がその上に形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成されている前記多層配線の任意の下層の配線と、前記下層の配線が被覆されるように前記半導体基板上に形成された少なくとも1層からなる下層の絶縁膜と、前記下層の絶縁膜の上に形成された前記多層配線の任意の上層の配線と、前記上層の配線を被覆するように前記半導体基板上に形成された上層の絶縁膜と、前記下層の絶縁膜中に形成され、前記上層の配線と前記半導体基板表面又は前記下層の配線との間に配置されているダミー配線と、前記上層の絶縁膜、前記上層の配線、前記ダミー配線及び前記下層の絶縁膜を通し、前記半導体基板表面又は前記下層の配線が露出するように形成され、その側壁において前記上層の配線及び前記ダミー配線が露出しているコンタクト孔内に充填していて前記上層の配線と前記半導体基板表面又は前記下層の配線とを電気的に接続する接続配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205