特許

J-GLOBAL ID：200903093765287140

半導体装置の平坦化方法及び装置

発明者： 左光 大和
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317343
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139367
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の研磨に好適であり、高い精度でしかも効率良く被研磨物を研磨し得る半導体装置の平坦化方法及び装置を提供する。【解決手段】 基板上に少なくとも2種類の膜を有する半導体装置3の表面を化学・機械的に研磨することにより平坦化する。研磨面の至近位置に設けた歪みゲージ10によって研磨時の研磨抵抗を検出し、歪みゲージ10の検出信号の変化量に基づき、研磨加工の終点を判定する。特に、半導体装置3の研磨面における複数位置で研磨時の研磨抵抗を検出し、各位置での歪みゲージ10の検出信号の変化量に基づき、研磨加工の終点を判定する。研磨終点を正確に検知して、高い平坦度を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも2種類の膜を有する半導体装置の表面を化学・機械的に研磨することにより平坦化するための方法であって、研磨面の至近位置に設けた歪みゲージによって研磨時の研磨抵抗を検出し、この歪みゲージの検出信号の変化量に基づき、研磨加工の終点を判定し得るようにしたことを特徴とする半導体装置の平坦化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 49/16

FI (4件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S ,  B24B 37/00 F ,  B24B 49/16