特許

J-GLOBAL ID：200903093765396399

縦型電界効果トランジスタ

発明者： 萩本 佳三
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075918
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291322
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】逆方向耐圧を低下させずにオン抵抗を低減する。【構成】逆方向耐圧を決定する外周ガードリング7のジャンクション深さに対して素子部のベース領域3及びその周囲に設けたP型拡散領域10のジャンクション深さをガードリング7のジャンクション深さよりも浅く形成する。

請求項（抜粋）：

高不純物濃度の一導電型半導体基板上に設けた低不純物濃度の一導電型半導体層と、前記一導電型半導体層の表面に設けた逆導電型のベース領域と、前記ベース領域内に設けた一導電型のソース領域と、前記ベース領域を含む素子領域の外周を取囲んで前記一導電型半導体層の表面に設け且つ前記ソース領域と電気的に接続した前記ベース領域と同等の拡散深さを有する逆導電型拡散層と、前記逆導電型拡散層の外周を取囲んで前記一導電型半導体層の表面に設け且つ前記ベース領域よりも深い拡散深さを有する逆導電型のガードリングとを有することを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/78 321 W

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-265570
  
• 特開昭60-249367
  
• 特開平3-173180
  
• 特開昭63-177566