半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258168
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091587
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】絶縁表面を有する基板上に、ゲート絶縁膜/半導体層界面の欠陥や不純物の無い半導体装置を作成する。【解決手段】ガラス基板1上にゲート電極2,ゲート絶縁膜4,a-Si膜5およびマスク6aを形成する。マスク6aの開口から触媒元素8を導入し、第1の加熱処理を行ってa-Si膜5を結晶成長させる。次に、マスク6aの開口から触媒元素8を集める元素9を導入し、第2の加熱処理を行って拡散触媒元素をマスク6aの開口下に引き戻す。そして、触媒元素が無くなった結晶性シリコン膜に活性領域を形成する。こうして、ゲート絶縁膜と半導体層とを低温デポ工程で連続的に形成し、ゲート絶縁膜/半導体層形成後の熱処理を上記結晶成長時の第1の加熱処理で代行させ、界面欠陥の低減を図る。また、残留触媒元素の無いシリコン領域に活性領域を形成して不純物の無い半導体装置を作成する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成する工程と、上記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、このアモルファスシリコン膜における第1の所定領域に、当該アモルファスシリコン膜の結晶化を助長する触媒元素を選択的に導入する工程と、第1の加熱処理を行って、上記アモルファスシリコン膜を結晶成長させる工程と、上記第1の所定領域に、上記触媒元素を集める効果を持つ元素を選択的に導入する工程と、第2の加熱処理を行って、上記結晶成長して成る結晶性シリコン膜に拡散している上記触媒元素を上記第1の所定領域に集める工程と、上記結晶性シリコン膜上に上記ゲート電極を覆うマスクを形成する工程と、上記結晶性シリコン膜における上記マスクで設定される第2の所定領域に、3族元素あるいは5族元素をドープしてソース領域とドレイン領域とを形成する工程と、上記結晶性シリコン膜における上記第1の所定領域以外の領域を用いて、上記ソース領域とドレイン領域とを含む活性領域を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-176353 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

前のページに戻る