特許
J-GLOBAL ID:200903093771234244

導波路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-001505
公開番号(公開出願番号):特開平5-188227
出願日: 1992年01月08日
公開日(公表日): 1993年07月30日
要約:
【要約】【目的】 導波路の耐湿性を高める。【構成】 Si基板110にクラッド層120b及び導波路パターン180を形成する(図1(a)(b))。そして、プラズマCVDにより耐湿性の高いSiN(チッ化ケイ素)膜220を3000オングストローム形成する(図1(c))。つぎに、FHDまたはCVDにてコア層150よりも低屈折率としたSiO2 のクラッド層120bを堆積し焼結し、導波路パターン180を埋め込む(図1(d))。その後、再びプラズマCVDによりSiN膜230を形成してもよい(図1(e))。これによって、導波路パターン180をコアとする導波路が形成される。
請求項(抜粋):
コアと、このコアよりも屈折率の小さいクラッドと、前記コアと前記クラッドとの間に耐湿膜とを有することを特徴とする導波路。

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