特許
J-GLOBAL ID：200903093772418519

化合物半導体基板の製造方法

発明者：
坂井 久

坂井 久 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338124
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164514
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 反射防止膜の蒸着や特殊なフォトリソグラフィが必要で工程が煩雑であるという問題があった。【解決手段】 Si基板上に高さが50〜500nmの等方性表面テクスチャを形成し、このSi基板上にIII -V族化合物半導体バッファ層を成長し、このバッファ層上に化合物半導体層を成長し、この化合物半導体層上にさらに複数の化合物半導体層を成長する。
請求項（抜粋）：
Si基板上に高さが50〜500nmの等方性表面テクスチャを形成する工程と、このSi基板上にIII -V族化合物半導体バッファ層を成長する工程と、このバッファ層上に化合物半導体層を成長する工程と、この化合物半導体層上にさらに複数の化合物半導体層を成長する工程を含むことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20
Fターム (28件)：
5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045EB13 ,  5F045GH09 ,  5F045HA03 ,  5F045HA16 ,  5F052AA11 ,  5F052DA05 ,  5F052DB01 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052FA12 ,  5F052HA01 ,  5F052HA08 ,  5F052JA09
引用特許：
出願人引用 (6件)
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