特許
J-GLOBAL ID:200903093775187151

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 作田 康夫 ,  井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-266169
公開番号(公開出願番号):特開2005-210063
出願日: 2004年09月14日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】現在の技術をもって容易に実現できる方法によって、数V程度のゲート電圧を印加する事によって室温で動作するモット・トランジスタ、および、その製造方法を提供する。【解決手段】自己組織化ナノ粒子列15をチャネル部に用いる事で、室温で動作するモット・トランジスタを提供する。我々の用いるナノ粒子は、金属と有機分子とから構成されており、その大きさは数nm程度と大変小さいため、そのチャージング・エネルギーは熱エネルギーkBT=26meVよりも十分大きく、室温で動作が可能である。また、数nm程度の大きさのナノ粒子が自己組織的に並べられ、面密度1012cm-2程度の電子数の変化でモット転移を引起す事ができるため数V程度のゲート電圧で動作する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ゲート電極と、一対のソース・ドレイン電極と、チャネル部とを有し、 前記チャネル部は、金属または半導体で構成された粒子と前記粒子を覆う有機分子とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (7件):
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L51/00
FI (8件):
H01L29/78 618B ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/06 601N ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
Fターム (35件):
5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BC01 ,  5F048BC15 ,  5F048BD01 ,  5F048CB01 ,  5F048CB04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19
引用特許:
出願人引用 (1件)

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