特許
J-GLOBAL ID：200903093776120751
Si単結晶微粒子積層方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273153
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081691
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】 Si単結晶微粒子層のSi単結晶微粒子間の間隙を無くし、隙間無く緻密に積層したSi単結晶微粒子層を作製できるSi単結晶微粒子の積層方法を提供する。【解決手段】 VHFプラズマ中でSiH4 ガスを原料としてSi単結晶微粒子を形成し、Si単結晶微粒子を基板上に堆積し、堆積したSi単結晶微粒子の表面にSiO2 膜を形成してなるSi単結晶微粒子層において、Si単結晶微粒子層のSi単結晶微粒子表面のSiO2 膜にP(リン)をドープして熱処理して溶融させてSi単結晶微粒子層中のSi単結晶微粒子を互いに密に再配列させる。Si単結晶微粒子層の空隙が減少し、電子のトンネリング確率が増大し、かつ、印加電界分布が均一となり、電子銃の外部量子効率が増大する。
請求項（抜粋）：
VHFプラズマ中でSiH4 ガスを原料としてSi単結晶微粒子を形成し、このSi単結晶微粒子を基板上に堆積し、この堆積したSi単結晶微粒子の表面にSiO2 膜を形成してなるSi単結晶微粒子層において、上記SiO2 膜を溶融させて上記Si単結晶微粒子層中の上記Si単結晶微粒子を互いに密に再配列させることを特徴とする、Si単結晶微粒子積層方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 504
, H01J 9/02
, H01L 21/205
C30B 29/06 504 Z
, H01J 9/02 M
, H01L 21/205
4G077AA01
, 4G077BA04
, 4G077DB28
, 4G077FJ06
, 4G077HA15
, 4G077TA02
, 5F045AA08
, 5F045AB03
, 5F045AC01
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045BB16
, 5F045HA16
