特許

J-GLOBAL ID：200903093777212684

半導体製造のためのフォトマスク

発明者： ソングス クオ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-241815
公開番号（公開出願番号）：特開平6-266094
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 透明な位相変化領域がその不透明領域と自己整合した、位相変化フォトマスクとその製造法を提供する。【構成】 前記マスクの不透明領域が透明材料の薄い領域によりまず境を接し、そして次に、透明材料の厚い領域により境を接する。これらの2つの領域は光を透過するが、その際、2つの領域を透過した光は180°の位相差を有する。この光が相互作用して大きなコントラストを有する端部が得られ、それにより、小型でかつ高密度のマスクを得ることができる。

請求項（抜粋）：

マスク・ガラス基板と、前記マスク・ガラス基板の表面の上に配置された不透明材料のパターンであって、前記マスク・ガラスが前記不透明材料により被覆されない透明領域により分離された前記不透明材料の領域を有する、前記パターンと、前記不透明材料と前記透明領域を被覆し、かつ、光を透過する、エッチング停止層と、前記エッチング停止層の表面の上で前記不透明材料により被覆されない領域内に配置された透明な位相変化材料のパターンであって、前記位相変化材料が前記不透明領域の端部から分離され、それにより、前記端部のおのおのが、前記エッチング停止層により被覆された前記マスク・ガラスの薄い領域と、前記エッチング停止層および前記位相変化材料により被覆された前記マスク・ガラスの厚い領域と、で境を接している、前記透明な位相変化材料のパターンと、を有する、マスクの位相変化境界が得られるリソグラフィによる半導体製造に用いられるマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-177346
  
• 特開平4-045446
  
• 特開平4-177346
  
• 特開平4-045446