特許
J-GLOBAL ID：200903093781312880
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264218
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109767
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 コンタクトホールでの接触抵抗を低減すると共に、コンタクトホールエッジ部の電流集中によるエレクトロマイグレーションを抑制し素子の長期的信頼性を向上させる。【構成】 MOSトランジスタのゲート電極に側壁に丸みを有する導電体または半導体16を設け、この斜面にコンタクトホール18を形成することにより、コンタクト抵抗の低減化及び電流集中の抑制効果により、素子の長期的信頼性の向上が実現される。又、SOI膜に形成された電界効果型トランジスタの拡散層抵抗を低減化するために拡散層の上面と下面の両方から電気配線を行なう。又、薄膜SOI素子で問題となる素子の発熱を半導体基板あるいは絶縁膜中に中空の溝を形成し、この溝に水などを流し、効率良く素子を冷却する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、前記ゲート電極を挟んでその両側の該半導体基板表面層に導電型の不純物を導入して拡散層領域を形成することにより構成されるMOSトランジスタにおいて前記ゲート電極両端の側壁に第2の絶縁膜を介して、前記拡散層領域と同種の導電型から成る半導体もしくは導電体が、前記第2の絶縁膜の外周が前記拡散層と接する点を中心とした円または楕円形状を有し、かつ前記円また楕円形状の表面にコンタクトホールを設けることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 27/12
, H01L 29/40
