特許
J-GLOBAL ID:200903093783804585

膜磁石及びその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-345707
公開番号(公開出願番号):特開平9-162034
出願日: 1995年12月08日
公開日(公表日): 1997年06月20日
要約:
【要約】【目的】膜厚を薄くしても、有効な磁気エネルギが利用でき、永久磁石を応用した装置の高性能化、小型化が可能となる膜磁石を得る。【構成】基板3上に、硬磁性層15と軟磁性層16を交互に積層した多層合金膜を有する構成の膜磁石及びその形成方法において、基板3を摂氏450度ないし800度の範囲の温度に加熱し、スパッタにより基板3上に硬磁性層15を一層あたり2nmないし4nmの厚さに形成し、次に基板3を摂氏150度ないし650度の範囲の温度に加熱し、スパッタにより硬磁性層15上に軟磁性層16を一層あたり6nmないし12nmの厚さに形成し、硬磁性層15と軟磁性層16を交互に繰り返し積層して多層合金膜を形成する。
請求項(抜粋):
高エネルギ積を有し、基板上に硬磁性層と軟磁性層を交互に積層した多層合金膜を有する膜磁石において、前記基板上に、一層あたり2nmないし4nmの厚さを有し厚さ方向に異方性をもつ前記硬磁性層と、一層あたり6nmないし12nmの厚さを有し厚さ方向に異方性をもつ前記軟磁性層とが交互に積層されていることを特徴とする膜磁石。
IPC (5件):
H01F 10/08 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18
FI (5件):
H01F 10/08 ,  C23C 14/14 F ,  C23C 14/34 P ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18

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