特許

J-GLOBAL ID：200903093793938911

半導体製造装置及びそれを用いた半導体部材の製造方法

発明者： 伊藤 正孝 ,  佐藤 信彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080108
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277526
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造装置及び高温処理方法の問題点は、雰囲気ガス中の意図しない制御困難な水分及び酸素が混入し、成膜された膜の品質を劣化させることである。【解決手段】 表面にシリコンを有する半導体基板を、水素を含む還元性雰囲気ガス中で熱処理する半導体製造装置であって、半導体基板と水素を含む還元性雰囲気ガスを導入するためのガス導入口との間に、水素を含む還元性雰囲気ガス中に含まれる水分及び/又は酸素を除去する、半導体基板とは別の除去材を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

表面にシリコンを有する半導体基板を、水素を含む還元性雰囲気ガス中で熱処理する半導体製造装置であって、該半導体基板と該水素を含む還元性雰囲気ガスを導入するためのガス導入口との間に、該水素を含む還元性雰囲気ガス中に含まれる水分及び/又は酸素を除去する該半導体基板とは別の除去材を有することを特徴とする半導体製造装置。