特許

J-GLOBAL ID：200903093794075216

真空紫外光による酸化膜形成方法

発明者： 黒澤 宏 ,  横谷 篤至 ,  宮野 淳一 ,  本山 理一 ,  歳川 清彦
出願人/特許権者： 佐々木 亘 ,  黒澤 宏 ,  横谷 篤至 ,  宮崎沖電気株式会社 ,  宮崎ダイシンキャノン株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087520
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274156
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 真空紫外光による処理、特に真空紫外光CVDによるウエハに良質の酸化膜を効率的に形成する。【解決手段】 ポンプ5により真空引きされたチャンバー3内のサセプタ4上にウエハ9を搭載する。次いで、成膜用の材料ガス、例えばテトラエトキシオルソシリケイト8を導入して、エキシマランプ1により、人工石英製の窓2を介して真空紫外光を照射する。本発明では、厚さ20mmの合成石英窓直下にて測定した照射照度を12nm/cm2 以上とし、かつサセプタの温度を400°C以下に保持する。この高出力、低温処理の組み合わせにより、材料ガス由来の不純物がない良質の膜を既存の高温プラズマCVD並みの高効率で形成できる。

請求項（抜粋）：

真空紫外光で基板上に酸化膜を形成するに当たり、成膜用の有機系材料ガスの存在下、温度400°C以下、厚さ20mmの合成石英窓直下にて測定した照射照度12mW/cm2以上で処理することを特徴とする真空紫外光による酸化膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/48

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/48

Fターム (22件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA08 ,  4K030JA10 ,  4K030JA20 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BF40 ,  5F058BG01 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光気相反応方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262785   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所