特許

J-GLOBAL ID：200903093799611329

半導体装置用ステムとその製造方法

発明者： 中村 重樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-222774
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063963
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】硬化した樹脂充填部6と絶縁リード線5との押し込み・引張り等の外部応力で、界面に剥離現象を起こすことが無く、低温低圧縮工程による半導体装置用ステムの製造方法を提供する。【解決手段】合成樹脂を粉末状にし、プレスにより未硬化樹脂充填部品10を成形する。ここで、リード線とベースに挿通する未硬化樹脂充填部品10はリード線用孔径を凹凸部7の凸部外径より小さく成形したもので、前記未硬化樹脂充填部品10を加熱圧入することにより、凹凸部近傍の未充填部8の無いステムを得、硬化した樹脂充填部6がアンカー効果(機械的結合)の役割を果たし、外部応力に対する耐強度を向上する半導体装置用ステムの製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

金属板を凹形状に加工されたベースと、絶縁リード線と未硬化樹脂充填部品とからなり、前記ベースには前記絶縁リード線を挿通する貫通孔が形成されてあり、前記絶縁リード線の硬化した樹脂充填部には凸部が形成されてある半導体装置用ステムにおいて、前記絶縁リード線凸部の金属ベースの閉口部側の凸部近傍に未充填部が形成されてなることを特徴とする半導体装置用ステム。

IPC (1件)：

H01L23/12

FI (1件)：

H01L23/12 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置用パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-319893   出願人：新光電気工業株式会社
• 特開平4-028281
  
• 特開平4-023383