特許

J-GLOBAL ID：200903093801264658

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 松本 淳一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-135367
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329712
出願日： 2001年05月02日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 エッチング工程で配線パターンの露出部に付着する反応生成物の除去を確実に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】 フッ素系ガスを用いて酸化膜54と窒化膜56へのエッチングを行うと、露出したアルミ配線52に反応生成物64が付着する。その後、露出したアルミ配線52への加熱を行い、アルミ配線52の表面に付着する反応生成物64を熱分解する。また当該反応生成物64の除去は、加熱に代えて、アルカリ溶液と、水と、水に可溶な有機溶媒とからなる混合液体で行うようにしてもよい。

請求項（抜粋）：

配線パターンを覆う絶縁膜の上層にマスクを形成し、このマスクを用いた前記絶縁膜へのエッチングにて前記配線パターンを露出させた後、この露出した前記配線パターンへの加熱を行い、前記絶縁層へのエッチング時に前記配線パターンに付着した反応生成物の除去を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/40 521 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (24件)：

2H096AA25 ,  2H096GA60 ,  2H096HA01 ,  2H096HA30 ,  2H096JA10 ,  2H096LA30 ,  5F004AA14 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA03 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F004EA29 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F046MA02 ,  5F046MA06