特許
J-GLOBAL ID：200903093802400350
半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-343189
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151786
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 低出力から良好に自励発振する特性を備えた半導体レーザを提供する。【解決手段】 活性層15と活性層よりもバンドギャップエネルギーが高い層13、14、17、18、20とを含む、窒化ガリウム系半導体から主としてなる積層構造をレーザ発振のため有する半導体レーザ素子が提供される。該素子は、活性層25から離れた位置において、活性層15よりもバンドギャップエネルギーが高い層18、20中に、活性層15とほぼバンドギャップが等しく、かつAs、PおよびSbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む窒化ガリウム系半導体層19を有する。
請求項（抜粋）：
活性層と前記活性層よりもバンドギャップエネルギーが高い層とを含む、窒化ガリウム系半導体から主としてなる積層構造をレーザ発振のため有する半導体レーザ素子において、前記活性層から離れた位置において、前記活性層よりもバンドギャップエネルギーが高い層中に、または、前記活性層よりもバンドギャップエネルギーが高い層に接して、前記活性層とほぼバンドギャップが等しく、かつAs、PおよびSbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む窒化ガリウム系半導体層を有することを特徴とする、半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5F073AA09
, 5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073CB10
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA26
