特許
J-GLOBAL ID:200903093802931577
光電変換装置とその製造方法、並びに固体撮像素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-197382
公開番号(公開出願番号):特開2005-038908
出願日: 2003年07月15日
公開日(公表日): 2005年02月10日
要約:
【課題】固体撮像素子などの光電変換装置における光電変換領域の広い面積の確保を図る。【解決手段】光電変換領域3と、光電変換領域3上に形成された光学的に透明な透明半導体領域24と、透明半導体領域24に形成され光電変換領域3に蓄積された電荷を処理する光学的に透明な処理部Tr1 〜Tr4 とを有して成る.【選択図】 図3
請求項(抜粋):
光電変換領域と、
前記光電変換領域上に形成された光学的に透明な透明半導体領域と、
前記透明半導体領域に形成され、前記光電変換領域に蓄積された電荷を処理する光学的に透明な処理部とを有して成る
ことを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
Fターム (19件):
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118CA19
, 4M118CA22
, 4M118CA32
, 4M118EA01
, 4M118EA15
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118FA42
, 5C024CX13
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024GX04
, 5C024GY31
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