半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和田成則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-153160
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343353
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】半導体装置において、配線におけるエレクトロマイグレーションの発生あるいは配線を構成する金属イオンの拡散を防止して配線を細線化する。【構成】シリコン基板11上にシリコン酸化膜14を積層し、シリコン酸化膜14に形成したトレンチ14aに高融点金属であるタングステン12を堆積し、タングステン12内に低抵抗金属であるアルミニウム線13を通した構造にしている。これによりアルミニウム線13周囲はタングステン12によって覆われて露出部分がなくなるため、配線を細線化した際にエレクトロマイグレーションが発生しない。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁層に形成された配線用溝に半導体素子同士を接続するための配線が配設された半導体装置において、上記配線は、低抵抗金属線周囲をそれより比抵抗の高い高融点金属あるいは高融点金属のシリサイドで覆ってなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/88 R , H01L 21/88 M

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