特許
J-GLOBAL ID:200903093812771888

パターン形成方法及びそれに用いるマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-229050
公開番号(公開出願番号):特開平9-074214
出願日: 1995年09月06日
公開日(公表日): 1997年03月18日
要約:
【要約】【目的】 薄膜太陽電池のパターニング工程において、マスクの桟の部分が温度変化によって変形したり撓んだりすることを防ぎ、精度の高いパターニングを可能とすることを目的とする。【構成】 パターニング工程において、マスクの桟4がマスク枠1と独立した構造になっており、桟4の長さ方向にバネ5により張力を加えることが可能な構造を有する。【効果】 マスクを用いて集積型太陽電池の直列接続パターニングを行う際に、マスクの変形を抑え、大面積基板においても正確な加工を行うことが可能となり、工程数を少なくコスト面で優位な大面積集積型太陽電池のパターン形成方法を提供することができる。
請求項(抜粋):
所定方向に張力を与えた桟を有するマスクを製膜面上に設け、上記マスク上から薄膜となるべき物質を飛散させ、上記桟によりマスクされた領域を境界として上記薄膜を上記製膜面上に形成することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  H01L 21/205
FI (2件):
H01L 31/04 S ,  H01L 21/205
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭63-283173
  • 特開昭60-145607
  • 特開平1-225371
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