特許

J-GLOBAL ID：200903093814352432

薄膜製造装置

発明者： 大塩 祥三 ,  松岡 富造
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 粟野 重孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-138042
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349739
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置が所望する微細な形状の薄膜を製造することができる薄膜製造装置を提供することを目的とする。【構成】 薄膜の原料物質を導入する導入管2の導入口1を通して薄膜の原料物質を反応槽3へ導入し、反応槽3に配置した基板5の表面で反応させて、基板5上に薄膜を成長させる薄膜製造装置の導入口1の最大幅を100μm以下とすることによって、最大値100μm程度の所望とする微細な形状の薄膜を得る。

請求項（抜粋）：

反応槽と、前記反応槽内に備えられた基板ホルダーと、前記基板ホルダーに装着された基板と、薄膜の原料物質を前記反応槽内に導入する導入口を有する導入管とを備え、前記原料物質を基板表面で反応させて基板上に所望の薄膜を成長させる薄膜製造装置において、前記導入口の最大幅が100μm以下である薄膜製造装置。