特許
J-GLOBAL ID:200903093814673131

磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-311604
公開番号(公開出願番号):特開平9-134510
出願日: 1995年11月06日
公開日(公表日): 1997年05月20日
要約:
【要約】【課題】 反強磁性交換結合膜を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、NiFeならびにNiMnの配向度を制御することにより、交換結合磁界を向上させ、バルクハウゼンノイズを抑制して再生性能を向上させる。【解決手段】 磁気抵抗効果素子として強磁性体層と反強磁性体層とから構成される磁気抵抗効果ヘッドにおいて、面心立方晶(fcc)の強磁性体層の直上にfcc構造を有する反強磁性体層が積層され、更に面心正方晶(fct)の反強磁性体層が積層された構造を特徴とし、fcc構造を有する反強磁性体層は、強磁性体層と反強磁性体層の界面近傍に形成され、強磁性体層と反強磁性体層の界面はエピタキシャル成長によって連続性を保持しており、強磁性体層はNiFe系合金であり、反強磁性体層はNiMn合金であることを特徴としている。
請求項(抜粋):
磁気抵抗効果を呈する強磁性体層(MR層)とこれに直接接する反強磁性体層によって検出部が構成され、前記検出部には電極が設けられると共に絶縁層を介してシールド間に挟まれて配置される磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記検出部の能動領域ではMR層は面心立方晶(fcc)構造であり、直接接する前記反強磁性体層はfcc構造から面心正方晶(fct)構造に連続的に変化することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド(MRヘッド)。

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