特許
J-GLOBAL ID：200903093819358439
半導体被膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228621
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069974
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 プロセス温度の低温化と結晶性の改善が図れる気相成長法による半導体被膜の製造方法を提供する。【構成】 熱CVD法等の気相成長法にて多結晶シリコン膜等の半導体被膜を基材上に製膜する方法であって、上記基材に対し超音波振動エネルギーを与えながら半導体材料を製膜することを特徴とする。そして基材を介し堆積途上にある半導体被膜に対して供給される超音波振動エネルギーの作用により結晶化途中における半導体被膜内の結晶粒の合一、それによる結晶粒径の拡大及び格子欠陥等の低減が図れるため、結晶化に要するプロセス温度の低減と結晶性の改善を図ることが可能となる。従って、従来法よりプロセス温度の低減が図れることから基材材料の選択範囲を拡げられると共に、プロセス温度を従来と同等に設定した場合には従来より結晶性の大幅な改善が図れる効果を有する。
請求項（抜粋）：
化学的若しくは物理的気相成長法により半導体材料を基材上に製膜させて半導体被膜を形成する半導体被膜の製造方法において、上記基材に対し超音波振動エネルギーを与えながら半導体材料を製膜することを特徴とする半導体被膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 14/22
, C23C 16/24
, C23C 16/44
, H01L 31/04
