特許
J-GLOBAL ID：200903093820525519
半導体基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-232254
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084856
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 超清浄度を必要とする半導体装置製造工程に半導体基板からダスト汚染を持込まず、製品特性に悪影響を及ぼすことのない半導体基板およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板は側面を含む全面が鏡面化されている。この半導体基板を製造するには、エッチング後の半導体基板の端面に、この面に平行な面を有する可撓性円板上に設けられた鏡面研摩部材を回転させながら接触させることにより端面の鏡面研摩を行う工程と、前記可撓性円板の回転軸を前記半導体基板に平行でかつオフセットされた位置に置き、前記半導体基板の中心方向へ圧力をかけることにより前記可撓性円板をたわませて前記面取り加工を行った面の鏡面研摩を行う工程と、前記半導体基板の表面の鏡面研摩を行う工程と、前記半導体基板の裏面の鏡面研摩を行う工程とを備える。
請求項（抜粋）：
側面を含む全面が鏡面化されたことを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
H01L 21/304 311
, B24B 37/00
