特許

J-GLOBAL ID：200903093827078810

半導体記憶装置

発明者： 沖田 宗久
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107195
公開番号（公開出願番号）：特開平5-303891
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】同期信号によって同期を取り動作する方式の半導体記憶装置において、データの読み出しを必要としない場合や、同一アドレスのデータを続けて読み出す場合に無駄な電力を消費するのを防ぐ。【構成】アドレスラッチ回路1を設け、このアドレスラッチ回路1でラッチされていた信号12と新しく入力されていたアドレス信号11とを比較し、一致不一致信号を発生するアドレス信号比較回路2を設け、この一致不一致信号によって内部回路を制御する回路3を設け、アドレスデコーダ4,RAMセル5,ワードドライバ6,センスアンプ7,出力ラッチ回路8,出力ラッチ回路7を設ける。

請求項（抜粋）：

同期信号によって同期を取り動作する回路を備えた半導体記憶装置において、出力ラッチ回路とアドレスラッチ回路と、前記アドレスラッチ回路でラッチされていた信号と入力したアドレス信号とを比較し一致不一致信号を発生するアドレス信号比較回路と、前記一致不一致信号によって読み出しを行う回路への前記同期信号を制御する回路とを備えた事を特徴とする半導体記憶装置。