特許

J-GLOBAL ID：200903093832221167

磁気抵抗変換素子

発明者： 陶山 英夫 ,  郡司 卓也 ,  岩淵 喜悦 ,  山田 時晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-176920
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021861
出願日： 1991年07月17日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 磁気抵抗変換素子における端子導出部による不要な磁気抵抗変換作用に基づくノイズを防止する。【構成】 共通の磁気抵抗効果薄膜より成るセンサー部MR1 〜MR6 とこれよりの端子導出部52とが構成された磁気抵抗変換素子21の、その端子導出部52にスリット53を設ける。

請求項（抜粋）：

共通の磁気抵抗効果薄膜によりセンサー部とこれよりの端子導出部とが構成されてなる磁気抵抗変換素子において、上記端子導出部にスリットを設けてなることを特徴とする磁気抵抗変換素子。