特許

J-GLOBAL ID：200903093834097544

スパッタ蒸着のための二重供給源単一チャンバー法および器具

発明者： チストヤコブ,ロマン
出願人/特許権者： イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
代理人 (1件)： 小田島 平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-530912
公開番号（公開出願番号）：特表2005-504172
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

本発明は、エピ層および高品質フィルムのエピタキシャルなスパッタ蒸着のための二重供給源単一チャンバー法、および器具に関する。方法を実施するための器具は、基材(6)上のエピタキシャルフィルムのスパッタリングのための第1のスパッタリング源(2)を含む。第2のスパッタリング源4は、反応性材料をスパッタリングして極低温シュラウド(8)上のゲッターを作り出すためのものである。第1のスパッタリング源(4)および基材(6)は、極低温シュラウド(8)によって囲まれる。

請求項（抜粋）：

(a)エピタキシャルなフィルムをスパッタリングするためのターゲット、(b)ポンピングゲッターをスパッタリングするためのターゲット、および(c)エピタキシャルなフィルムターゲットとポンピングゲッターターゲットとの間に介在する極低温シュラウドを含んでなる、フィルム蒸着のための器具。

IPC (1件)：

C23C14/34

FI (1件)：

C23C14/34 M

Fターム (5件)：

4K029CA05 ,  4K029DA02 ,  4K029DC16 ,  4K029DC20 ,  4K029FA09