特許

J-GLOBAL ID：200903093846895039

化合物半導体装置

発明者： 綿貫 憲
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082258
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277535
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 寄生容量Cparaの低減と大きな電子飽和速度Vs とを同時に達成できる高周波特性に優れた化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板上に第一の化合物半導体層を形成し、この第一の化合物半導体層上に線状の開口部が形成された線状の第一の絶縁膜を形成し、この第一の絶縁膜の開口部と絶縁膜上に第二の化合物半導体層を横方向エピタキシャル成長によって形成し、この化合物半導体層上に前記線状の絶縁膜と平行にゲート電極を形成した。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に第一の化合物半導体層を形成し、この第一の化合物半導体層上に線状の開口部が形成された線状の第一の絶縁膜を形成し、この第一の絶縁膜の開口部と絶縁膜上に第二の化合物半導体層を横方向エピタキシャル成長によって形成し、この化合物半導体層上に前記線状の絶縁膜と平行にゲート電極を形成してなる化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (2件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H

Fターム (26件)：

5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK05 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GM05 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR17 ,  5F102GS04 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102HA13 ,  5F102HC01 ,  5F102HC17 ,  5F102HC19