特許
J-GLOBAL ID：200903093847493171
半導体装置製造方法及びフォトリソグラフィシステム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-206494
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041216
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 寸法および形状が安定したレジストパターンマスクを得ることのできるフォトリソグラフィ法を利用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハにフォトレジスト層を形成する塗布ステップ、フォトレジスト層に所定のパターンを焼き付ける露光ステップおよび該露光ステップを経た半導体ウエハ上のフォトレジスト層を現像する現像ステップを含む各ステップを実行するフォトリソグラフィシステムを用いて半導体ウエハを製造するについて、フォトリソグラフィシステムに半導体ウエハを供給する供給時間間隔をフォトリソグラフィシステムの各ステップの所要時間のうちの最長所要時間Tmax に等しく設定する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハにフォトレジスト層を形成する塗布ステップ、前記フォトレジスト層に所定のパターンを焼き付ける露光ステップおよび該露光ステップを経た前記半導体ウエハ上の前記フォトレジスト層を現像する現像ステップを含む各ステップを実行するフォトリソグラフィシステムに半導体ウエハを供給する供給時間間隔を前記フォトリソグラフィシステムの前記各ステップの所要時間のうちの最長所要時間に等しく設定することを特徴とする半導体装置製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 502 J
, H01L 21/68 A
, H01L 21/30 502 G
